16Gb NAND Flash Memory for Mobile Phones
携帯向け16GbNANDフラッシュメモリ
2007/4/30
アジア 韓国：サムスン電子は16ギガビットNANDフラッシュの大量生産を始め、大容量のメモリチップが市場に出回るようになります。サムスンは51ナノメータレベルでの部品の組み立て(51nmプロセス）になり、最高の技術が使われていると公表しています。
「最高密度のNANDフラッシュを展開し、電子機器の更なる発展のドアを開きました」 サムスン フラッシュマーケティングディレクター ジム エリオットは言いました。
「製品のコストを最小にし性能を改善するため、私たちは55nm技術より先駆けた最高のプロセス技術”ハーフ ジェネレーション”を採用しました。」
サムスン51nmNANDフラッシュチップは60%もの効率が同社の60nmプロセス技術より良くなっています。サムスンは60nm 8Gb NANDフラッシュを昨年8月に生産を発表しちょうど8ヶ月で計画を達成しました。
この新しい16Gbチップはマルチレベルセル（MLC）構造を持ち、ひとつのカードで容量を16ギガバイト（GBs)まで増やすことができます。現在(MLC)チップより80%もの読み込みと書き込みの速度を向上させています。
■読み込み速度
・新チップ
30MB/s
・従来のMLC (60nm)チップ
17MB/s
・SLC (60nm)チップ
33MB/s
■書き込み速度
・新チップ
8MB/s
・従来のMLC (60nm)チップ
4.4MB/s
・SLC (60nm)チップ
13MB/s
NANDフラッシュメモリのデータの読み込みと書き込みはページという単位毎になります。60nmNANDフラッシュメモリーは2キロバイトページサイズで作られて、一方51nm 16Gbバージョンは2倍の4KBページ毎で読み書きが行なえます。この新チップはまた60nm NANDと同じ4ビットエラー補正コード(ECC)の機能を持ち、機器への組み込みに対しても少ない修正で済みます。サムスンはより良いエラー耐性技術を追求することによるコスト負担のリスクを避けました。
サムスンは4KBページ単位のデータアクセスをサポートする音楽形態やMP3プレーヤに対して最適化されたフラッシュソフトウェア一式とファームウェアが組み込まれた記憶デバイスを提供する予定です。
16Gbへの技術移行は最近の音楽形態やユーザ作成動画サイト(UCC)での大容量デバイスへの需要を更に加速させることが予想されます。日に日に動画コンテンツの要求が強くなり中クラス高クラスのデジタルカメラを含むビデオ製品にとって16GbNANDフラッシュメモリーは性能を上げてくれるものになります。
今年終わりにかけ16Gb NANDフラッシュメモリへの需要が主要な市場でどんどん伸びてくると予想されます。2010年までに世界中での販売は210億USドルになると見積もられています。
感想：フラッシュメモリは最近はとても成長が著しい分野ですね。
ソース：http://www.3g.co.uk/PR/May2007/4617.htm
0 件のコメント:
コメントを投稿